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派瑞林真空氣相沉積（PECVD）是一種常用的薄膜沉積技術(shù)，用于在材料表面上制備薄膜。它是在真空環(huán)境中使用氣相化學(xué)反應(yīng)來沉積薄膜的過程。在派瑞林真空氣相沉積中，首先需要建立一個真空環(huán)境，以確保沉積過程中沒有氣體干擾。然后，通過將氣體引入反應(yīng)室中，使其與表面反應(yīng)并沉積形成薄膜。
派瑞林真空氣相沉積可以用于制備各種不同類型的薄膜，如氮化硅、氧化硅、氮化鋁等。它在半導(dǎo)體、光電子、顯示器件等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用，可以用于制備薄膜電阻器、光學(xué)涂層、隔熱層等。
派瑞林真空氣相沉積具有一些優(yōu)點(diǎn)，如沉積速度快、沉積均勻性好、可控性強(qiáng)等。然而，它也存在一些限制，如無法沉積大面積薄膜、需要高真空環(huán)境等。
總的來說，派瑞林真空氣相沉積是一種重要的薄膜制備技術(shù)，可以在各種應(yīng)用中提供高質(zhì)量的薄膜材料。
派瑞林真空氣相沉積設(shè)備參數(shù):
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設(shè)備名稱 |
派瑞林真空氣相沉積設(shè)備 |
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產(chǎn)品型號 |
CY-VPC-300 |
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工作環(huán)境 |
電源：380V 五線 4 平方以上電纜，*大功率 l0KW |
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環(huán)境溫度：0-40℃ |
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環(huán)境濕度：＜90% |
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尺寸 |
外觀尺寸 1580*880*1550mm，占地面積約 1.5 平米， 安裝時周圍要留有50cm 以上的操作空間 |
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加熱部分 |
升華區(qū) |
原料倉：φ69*200mm 容量:300g |
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蒸發(fā)溫度：室溫 200℃ |
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溫度偏差:±2℃ |
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裂解區(qū) |
裂解溫度:650-700℃ 溫度穩(wěn)定性: ±2℃ |
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保溫區(qū) |
加熱溫度＜300℃ |
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控制系統(tǒng) |
品牌 |
PLC 控制系統(tǒng) |
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程序 |
為自動沉積系統(tǒng)和手動沉積系統(tǒng)兩部分 |
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顯示 |
顯示屏尺寸:12 寸觸摸彩屏 |
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沉積系統(tǒng) |
真空應(yīng)體 |
1 個，尺寸φ300xH400 , 304 不銹鋼 |
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腔體容積 |
28L |
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觀察窗 |
1 個觀察窗口，便于觀察產(chǎn)品在沉積室的狀態(tài) |
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旋轉(zhuǎn)部分 |
馬達(dá)轉(zhuǎn)速可調(diào) 1-10 轉(zhuǎn)／分 |
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真空系統(tǒng) |
真空泵 |
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真空計 |
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制冷系統(tǒng) |
天寒TH-95-15-G(鍋式)，制冷溫度≤90℃制冷啟動后30分鐘內(nèi)可從室溫到-70℃ |
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偶聯(lián)劑蒸發(fā)裝置 |
提高派瑞林涂層與需要做涂層基材表面的結(jié)合力 |
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設(shè)備主要部件 |
1、蒸發(fā)系統(tǒng)： 蒸發(fā)艙、電力n熱裝置、溫度傳感器 2、裂解系統(tǒng)：裂解艙 、電力日熱裝置、溫度傳感器 3、沉積系統(tǒng)：沉積艙 、真空傳感器 、樣品架 4、真空系統(tǒng)： 真空泵、真空計 5、冷凝系統(tǒng)：鍋式冷阱 6、設(shè)備主機(jī)：設(shè)備外殼、控制電路、真空管道 7、石英管： 1根 |
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可沉積原料類型 |
Parylene C、N、F、D |
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設(shè)備特點(diǎn) |
1、氣化加熱可移動，適合連續(xù)生產(chǎn)，如出現(xiàn)突然停電等意外情況可以隨時移掉加熱，保證產(chǎn)品**． 2、氣化部分部分為透明玻璃管，可以隨時查看料的情況，并可以保持低溫生產(chǎn)，滿足高要求鍍膜． 3、氣化可以移動，是派坷**設(shè)置，可以保證無**沖突，生產(chǎn)**。 4、腔體內(nèi)部轉(zhuǎn)架特殊設(shè)計可以有效減少壞點(diǎn)的數(shù)量． 5、可視化、人性化界面，操作簡單易懂． 6、玻璃管，可以大大降低升溫降溫時間． 7、保溫部分做優(yōu)化，使得派瑞林不易在玻璃管內(nèi)壁沉積，可以長期不用保養(yǎng)，減少保養(yǎng)時間 |
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